上海集成电路研发中心申请SOI硅片制备方法及SOI硅片专利避免流片时发生滑片或碎片

　　金融界2025年8月13日消息，国家知识产权局信息显示，上海集成电路研发中心有限公司申请一项名为“一种SOI硅片制备方法及SOI硅片”的专利，公开号CN120473433A，申请日期为2024年01月。

　　专利摘要显示，本发明公开了一种SOI硅片制备方法及SOI硅片，制备方法包括：提供作为衬底硅层的第一硅片；在所述第一硅片的第一表面上形成第一厚度的垫层；在所述垫层的表面上形成第二厚度的掩膜层；以所述掩膜层为掩膜，在所述第一硅片相对第一表面的第二表面上形成第一氧化硅层，用于形成第三厚度的埋氧层；在所述埋氧层背离所述第一硅片的表面上形成顶层硅层。通过形成掩膜层，可避免在第一硅片背面与正面同时形成热氧化膜层，能促进电荷的释放过程，避免流片时发生滑片或碎片，从而使芯片制造工艺过程得以顺利进行。

　　天眼查资料显示，上海集成电路研发中心有限公司，成立于2002年，位于上海市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本30060万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路研发中心有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目293次，财产线条，此外企业还拥有行政许可88个。

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